碳化硅产业链涉及多个环节，不同环节的龙头企业有所不同，以下是一些碳化硅领域的龙头上市公司：
一、衬底材料环节
1、天岳先进（688234）：全球半绝缘型碳化硅衬底龙头，产品广泛应用于5G基站射频器件等领域。公司已实现6英寸、8英寸衬底量产，并在12英寸衬底技术上取得突破，全球市占率位居前列。
与中国电科院合作开发p型高压SiC衬底，用于18kV SiC IGBT，已进入国网柔直器件供应链，上海临港工厂2026年达产，年产能30万片6英寸衬底。
2、三安光电（600703）：国内碳化硅衬底重要企业，与意法半导体合资建设8英寸碳化硅项目，长沙基地现有6英寸衬底产能，8英寸衬底与外延片已实现小规模量产，是碳化硅产业链垂直整合的代表企业。
IDM模式化合物半导体平台，与国家电网共建“宽禁带半导体联合实验室”，布局电网专用SiC MOSFET模块。
二、 器件与模块环节
3、斯达半导（603290）：国内车规级碳化硅 MOSFET 模块市占率领先，产品深度绑定比亚迪、理想等车企，车规级模块出货量国内第一，技术实力和市场认可度较高。
比亚迪半导体：国内碳化硅器件重要企业，功率半导体市占率进入全球前10，碳化硅模块在新能源汽车领域应用广泛，自研碳化硅模块成本优势明显。
三. 设备环节
4、晶盛机电（300316）：碳化硅长晶设备全球龙头，市占率超60%，8英寸设备已交付天科合达、三安光电等企业，为碳化硅衬底生产提供关键设备支持。
SiC晶体生长设备龙头，其8英寸SiC长晶炉已交付客户，国内唯一实现全自动SiC单晶炉量产的企业，良率控制达国际水平。
5. 高测股份
SiC切磨抛一体化解决方案商，通过提升衬底加工良率与产能，降低SiC器件成本，加速电网应用普及，金刚线切割SiC晶锭，材料利用率提升20%。
四、赛道掘金-碳化硅
碳化硅（SiC）是第三代半导体核心材料，具有耐高温、耐高压、低损耗、高功率密度等特性，是新能源汽车、光伏、AI算力等高端领域的关键零部件，其性能优于传统硅基材料，能有效提升终端产品的效率与可靠性。
1. 需求持续扩张，市场缺口明显
新能源汽车：
800V高压平台渗透率逐步提升，2028年新能源汽车将占全球功率器件市场74%的份额，碳化硅作为主驱逆变器、OBC等核心部件的标配，需求同步激增；
光伏与AI：
1500V光伏逆变器、AI数据中心高功率电源对碳化硅的需求快速增长，预计2030年全球“新能源车+充电桩+光储”领域对碳化硅衬底（6寸当量）的需求量约577万片，年复合增长率达36.7%；
供需缺口：
2030年全球碳化硅衬底产能缺口预计达1200万片，市场供给难以匹配需求增长。
2. 高端产品供给受限，技术壁垒较高
碳化硅产品分为6英寸（低端）与8英寸（高端），8英寸衬底是行业技术迭代方向，但当前良率仅约90%，仍需技术突破，且生产流程复杂、周期长，实际有效供应不足；
低端6英寸产品因产能充足、竞争激烈，价格保持平稳，而高端8英寸产品因供不应求，未来3-5年涨价确定性较高。
3. 成本端形成支撑
原材料价格波动、环保政策收紧等因素推高了碳化硅的生产成本，成本压力逐步向产品价格传导，进一步巩固了高端产品的涨价基础。
以上企业在各自领域具有较强的技术实力和市场竞争力，是碳化硅产业链中的重要参与者。需要注意的是，碳化硅产业处于快速发展阶段，企业的发展动态和市场地位可能随时间变化。
