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1、庸行科技
2、核心亮点
2.1 技术壁垒：稀土掺杂+多元金属协同的氧化物靶材体系
2.2 市场空间：IGZO靶材国产替代的窗口期
3、融资历程
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氧化物半导体靶材企业庸行科技完成新一轮融资,南山战新投、光谷人才基金联合投资
作者：本站编辑
2026-06-03 07:47:08
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氧化物半导体靶材企业庸行科技完成新一轮融资,南山战新投、光谷人才基金联合投资
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近日，氧化物半导体靶材材料研发商深圳庸行科技有限公司（以下简称"庸行科技"）完成新一轮融资。本轮由南山战新投、光谷人才基金联合投资。 庸行科技是国内少数掌握氧化物半导体靶材自主研发能力的企业，核心专利材料兼具高迁移率与高稳定性，适用于OLED、Micro-LED等高端显示面板。公司2024年获创维集团天使轮投资后，已启动南京中试级量产线建设，规划年产约200吨金属化物粉体产能。 深圳庸行科技有限公司成立于2021年3月，总部位于深圳市南山区，是一家专注氧化物半导体靶材材料研发与产业化的高科技企业。 靶材是显示面板制造的核心耗材——通过磁控溅射工艺将靶材原子沉积到玻璃基板上，形成驱动TFT（薄膜晶体管）的有源层。氧化物半导体（如IGZO）靶材是实现OLED、Micro-LED高分辨率显示的关键材料，长期被日本出光兴产（Idemitsu Kosan）、JX金属等企业垄断。 庸行科技自主研发的氧化物靶材在传统IGZO（铟镓锌氧）基础上引入稀土元素和多元金属化合物，实现靶材关键指标对标国际一线产品。2025年2月，公司核心发明专利"一种氧化物烧结体及其制备方法、氧化物靶材及应用"（CN117776675B）获授权。 庸行科技的技术创新在于材料配方的差异化路径——在氧化铟（In₂O₃）主体中引入稀土氧化物（氧化铈/氧化镨/氧化铽）形成微小晶粒嵌入，再通过第二金属化合物（金属氧化物/氟化物）调控导电性能。材料体系覆盖平面靶材和旋转靶材两种形态，适配G8.5/G10.5代线等大尺寸面板产线需求。 氧化物半导体（IGZO）TFT是OLED和下一代Micro-LED显示的核心驱动技术。相比传统a-Si TFT，IGZO具有更高的电子迁移率（10–50 cm²/V·s vs ~0.5 cm²/V·s），可实现更高分辨率、更低功耗和更窄边框。随着京东方、TCL华星、维信诺等国内面板厂在OLED和Micro-LED领域的大规模扩产，IGZO靶材的国产化需求进入快速增长期。 当前全球氧化物靶材市场仍由日本企业主导，国产化率不足10%。庸行科技从材料配方→靶材制造→溅射工艺的全链条自主能力，使其成为该赛道国产替代的稀缺标的。 根据企查查显示，庸行科技已完成4轮融资，引入创维投资、益华资本、南山战新投、光谷人才投资等投资机构。 本文来源： 1、庸行科技百度百科 / 投资界（pedaily.cn）/ 创新企业服务平台； 2、南京庸行科技材料有限公司新型半导体材料产业化项目环评公示（2026年3月）； 3、庸行科技专利； 4、烯牛数据库； 5、企查查数据库； 大湾区资本圈建立社群以及组织线下交流活动，粉丝如感兴趣加入，欢迎实名介绍一下自己（如未能实名制介绍不予通过，麻烦遵守基本的商务礼仪，礼貌介绍一下自己，谢谢，主要针对股权投资、CVC、投行、创业者等）。公众号不会主动添加，如有添加请注意甄别，以防上当受骗。 公众号团队承接融资报道、企业宣传、融资服务、股权投资、并购交易服务、创业创新赛事评审、路演活动举办、资金等需求，欢迎对接联系小编（实名制介绍一下并注明对接需求）。
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