近日，山东晶镓半导体有限公司圆满完成Pre-A轮融资，本轮融资获得多家知名产业与投资机构加持，山东省新动能、兴橙资本、源创多盈、历城财金、北京芯启航等知名新晋投资机构重磅加盟，济南市产发科创投、深圳合创、济南产发集成电路三家老股东持续跟投。公司将重点投向氮化镓衬底产能扩张与技术升级，为宽禁带半导体材料国产化突破注入核心资本动力。
晶镓半导体专注氮化镓（GaN）自支撑单晶衬底领域，依托山东大学晶体材料全国重点实验室，研发大尺寸高质量 HVPE生长设备、晶体生长到精密加工的全链条自主技术体系。
公司攻克多项行业关键难题，实现 2 英寸氮化镓衬底量产，性能达国际领先；同时突破 4 英寸衬底技术，是国内少数具备 2-4 英寸量产能力的企业，助力国内大尺寸高质量衬底快速打破国际垄断。
投资方表示，第三代半导体材料是支撑能源、通信、智能制造等关键领域发展的核心基础，晶镓半导体凭借深厚的产学研积淀、全链条自主技术体系和规模化量产潜力，成为国内氮化镓衬底领域的优质标的。
山东晶镓半导体有限公司成立于2023年8月，主要从事第三代半导体材料氮化镓（GaN）单晶衬底的研发、生产和销售。公司依托山东大学晶体材料全国重点实验室研发的GaN单晶技术成果，是国际上少数具有完全自主知识产权GaN单晶衬底生产制造厂家。自2023年成立以来公司取得了快速发展，融资过亿元，2025年6月完成GaN衬底产线通线。晶镓半导体致力于成为国际知名的第三代半导体企业。
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