三靶磁控溅射镀膜仪是一种利用磁控电弧等离子体在高真空环境中进行薄膜沉积的设备。以下是关于它的介绍：
- 工作原理：在高真空环境中，通过氩气等离子体轰击三个溅射靶材产生离子，利用磁场控制离子的运动轨迹，使其沉积在基底表面，形成均匀、致密的薄膜。通过调整靶材比例、离子能量和入射角度等，可改变沉积薄膜的组成和性能。
- 结构组成：通常包括真空腔室、磁控溅射靶、样品台、抽气系统、工作气路和电控系统等。郑州科烁KS-MSC450S其真空腔室尺寸为Dia.450mm×400mm，配有三个磁控靶，样品台尺寸为φ120mm，抽气系统采用涡轮分子泵组，极限真空可达1.0E-5Pa。
- 电源配置：一般配备直流电源和射频电源。 KS-MSC-450S 配有1个500W直流电源和2个500W射频电源，直流电源用于金属薄膜制备，射频电源可用于非导电靶材的溅射镀膜。
- 主要特点：三靶磁控溅射镀膜仪可实现单靶独立、双靶轮流、双靶共溅射等多种溅射模式。其还具有较高的控制性和可靠性，能够沉积出均匀、致密的薄膜。
- 应用领域：可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、光学薄膜等，广泛应用于能源、电子、航空航天、半导体等领域。
- 工作原理：在高真空环境中，通过氩气等离子体轰击三个溅射靶材产生离子，利用磁场控制离子的运动轨迹，使其沉积在基底表面，形成均匀、致密的薄膜。通过调整靶材比例、离子能量和入射角度等，可改变沉积薄膜的组成和性能。
- 结构组成：通常包括真空腔室、磁控溅射靶、样品台、抽气系统、工作气路和电控系统等。郑州科烁KS-MSC450S其真空腔室尺寸为Dia.450mm×400mm，配有三个磁控靶，样品台尺寸为φ120mm，抽气系统采用涡轮分子泵组，极限真空可达1.0E-5Pa。
- 电源配置：一般配备直流电源和射频电源。 KS-MSC-450S 配有1个500W直流电源和2个500W射频电源，直流电源用于金属薄膜制备，射频电源可用于非导电靶材的溅射镀膜。
- 主要特点：三靶磁控溅射镀膜仪可实现单靶独立、双靶轮流、双靶共溅射等多种溅射模式。其还具有较高的控制性和可靠性，能够沉积出均匀、致密的薄膜。
- 应用领域：可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、光学薄膜等，广泛应用于能源、电子、航空航天、半导体等领域。
