2026年6月9日至11 日，全球电力电子行业顶级盛会—第48届德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会（PCIM Europe 2026）将在纽伦堡会展中心隆重举行。作为国内功率半导体器件行业的领军企业之一，本次展会，宏微科技（MACMIC）将携全产业链创新产品及解决方案参展，全面展示公司在工业控制、新能源汽车、光伏储能、第三代半导体及新兴应用领域的最新技术成果。
宏微科技诚挚邀请海内外新老客户、行业伙伴莅临 9 号馆 338 展位参观与交流。期待着在展会现场与您相遇!
GVF 750V 500A 模块
采用宏微新一代 M7i+芯片技术，相较上代芯片，M7i+芯片在高负载工况下总损耗降低约 15%，芯片最高工作结温由原来 175℃ 提升至 185℃；GVF 封装采用耐温更高的封装材料，封装体积较 GVE 减小 20%，在保证发电侧出流能力的状态下，功率密度做到更高，应用于混动发电侧场景。
NV 系列产品 1200V / 1500V
采用先进 SiC MOS 芯片，显著降低导通损耗和开关损耗。在相同工况下，总损耗可降低约 50%；优化了体二极管和开关速度，实现极快的电流变化率（di/dt），同时利用沟槽栅技术抑制振荡。封装材料采用耐温更高的 PPS 材料，模块支持 185℃ 的工作结温；NV 模块最多可支持 12 并芯片的封装，最大出流能力可达 900Arms，支持 400KW 以上的电驱。1500V 的 NV 适用于1000V 的高压平台，DC 端子采用叠层母排设计，有效降低杂感，适配乘用车与商用车 MCU 应用。
芯动能九合一系列 IGBT & SiC 产品
拥有 IGBT 和 SiC 双版本，分别适配 400V 和 800V 平台。集成化设计优化整体 EMI 以及更小的体积，降低设计难度同时拥有更低的成本。集成 NTC 温度传感器和顶部散热的设计，提高模块热管理能力。采用 DIP 封装，减少的焊点和连接从源头降低失效率，专为汽车空压机及电机驱动等应用打造。
GEB 2300V 风电模块采用宏微第七代芯片技术的 GEB 模块封装，模块内部主电路杂感 10nH 左右，相比于 GWB 封装，显著地降低模块的电压尖峰。该产品拥有低的 Vce(sat) 与优异的动态开关特性。该产品可以应用于风电 1800V 系统，提高系统电压，降低风电线材成本，提高整机功率。
8 代平台 GEQ 模块行业独家大尺寸自由出针封装，搭配宏微第八代 IGBT 芯片。芯片特性比原有的第七代平台优化 10% 以上。单模块可以达到 400A 以上的出流能力，应用在光伏逆变器或储能变流器 400KW 以上机型。该模块拥有着极高的功率密度，可以使用单模块替代两模块并联方案。
8代平台 GWQ 1400V 模块采用 1400V 宏微第八代 IGBT 芯片技术搭配 GWQ 封装实现单模块应用在 460KW 光伏逆变器上。拥有低 Vce(sat) 的同时开关损耗也保持较低的水平。该模块搭配 SiC SBD 有效地降低了 IGBT 的开通损耗与二极管损耗，降低模块温升。同时该模块拥有 175℃ 结温能力，且模块级通过高压硫化氢、高压 H3TRB 等可靠性试验。
QDPAK 封装 IGBT & SiC 分立器件
覆盖 SiC MOSFET 与 IGBT 双平台，适配 650V / 1200V 主流电压等级。凭借顶部散热、开尔文源极引脚等设计，实现高效热管理与优异 EMI 性能，高功率密度、高可靠性，广泛适配新能源汽车、光伏储能、工业电源等场景。
Embedded 封装产品
宏微嵌入式功率模块，覆盖 SiC（1200V~1700V）与 GaN（100V~650V）宽电压平台，凭借低杂感、高集成度、小体积与高功率密度优势，可灵活适配汽车、工业机器人、AIDC、低空经济、充电桩等多元应用场景。
2026/06/09
14:35-14:55 参展商舞台
演讲主题：宏微 SiC 产品介绍
演讲人：顾天宏
2026/06/09
墙报宣讲
宣讲主题：RC 吸收芯片在三电平模块的应用
宣讲人：曹帅
江苏宏微科技股份有限公司成立于 2006 年，主要产品包括 IGBT、FRD、SiC 及 GaN 等芯片、分立器件、模块等功率半导体器件，是国内功率半导体器件行业领军企业之一，2021年，成功登陆科创板，股票代码 688711。企业是国家专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、国家绿色供应链企业、国家高技术产业化示范基地，是国家 IGBT 和 FRD 标准的起草组长单位，建有江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心、省级企业技术中心、江苏省新型功率半导体器件工程研究中心、国家级博士后科研工作站等。
