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近期，又有3家碳化硅企业完成融资：
长晶科技：获广汽资本投资，SiC MOSFET与二极管已实现制造；
芯合半导体：已发布6吋/8吋SiC晶圆和9mΩ主驱级SiC MOSFET；
陕西立晶芯科：完成首轮融资，成功研发8英寸碳化硅单晶锭，并向12英寸衬底量产发起冲刺。
据天眼查，今年5月江苏长晶科技股份有限公司完成战略融资，参与投资的机构包括广汽资本。而在2025年8月，长晶科技还完成了约亿元融资，投资机构为南京蓝天投资有限公司和江苏省节能环保战新产业基金（有限合伙）。
据“行家说三代半”了解，长晶科技于2018年重组成立，初期采用Fabless模式运营。2020年10月长晶科技收购海德半导体，并投资建设组建自主的封测基地——江苏长晶浦联功率半导体有限公司。2022年3月长晶科技又通过收购江苏新顺微电子股份有限公司，整合5英寸、6英寸晶圆制造平台，形成IDM模式。
2022年，长晶科技向深交所递交首次公开发行股票招股说明书，但在2023年9月主动撤回了上市申请。2026年长晶科技向第二次IPO冲刺正式，1月份已在江苏证监局完成IPO辅导备案，2026年5月，向江苏证监局提交《辅导工作完成报告》。
长晶科技的主要产品包括CSP MOSFET、SGT MOSFET、IGBT单管/模块、电源管理IC等系列。在2022年IPO申报稿中，该公司就拟募资16.26亿元用于包括第三代半导体在内的研发项目。2024年该公司在展会上透露，他们SiC MOSFET和SiC二极管都已制造出来。
企查查显示，芯合半导体（合肥）有限公司在近日完成了新一轮融资。本轮融资的投资方为中肃资本、合肥产投资本、宏华聚信投资、合肥芯云汇合企业管理合伙企业（有限合伙）和衢州芯展企业管理合伙企业（有限合伙）。
芯合半导体创立于2023年6月，总部位于安徽省合肥，是国内碳化硅功率半导体IDM（垂企业，旗下还有北京芯合和合肥芯研2家子公司。
2025年9月，芯合半导体在合肥盛大举行总部基地启用仪式，并在2025年12月推出1200V/9mΩ SiC MOSFET，其导通电阻为8.8mΩ，比导通电阻为2.3mΩ·cm²。2026年3月，芯合半导体对外展示自主研发的6吋、8吋SiC Wafer、SiC分立器件及SiC Power Module系列产品。
对外合作方面，2026年1月，芯合半导体与深向科技签署《SiC高压功率芯片车芯协同产业化项目合作协议》，双方将携手攻克车规级SiC芯片的上车应用难题。
据咸阳高新区5月18日报道，陕西立晶芯科半导体科技有限公司在今年一季度完成首轮融资，开始向12英寸碳化硅衬底量产及先进装备制造发起冲刺。
在碳化硅衬底研发进展方面，2025年1月，立晶芯科利用行业主流技术投产8英寸碳化硅单晶锭。据介绍，该团队自主开发了晶体生长模拟软件，攻克了大尺寸、低缺陷、高良率、高生长速率的碳化硅衬底单晶制备技术。
根据陕西广播电视台2026年3月报道，立晶芯科成立于2024年6月，该公司的董事长兼总经理为唐珊珊，现有员工11人，其中7人是博士。
企查查显示，立晶芯科是陕西立创晶源半导体科技有限公司的子公司，后者成立于2025年5月。
据“行家说三代半”了解，立创晶源是由西安交通大学能源与动力工程学院刘立军教授团队通过科技成果赋权转化与团队核心成员共同投资成立，主营业务为8-12英寸碳化硅衬底产品研发及制造、晶体生长装备开发及制造。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
