在半导体制造中，热处理设备（炉管设备）是调控晶圆性能的关键，其中RTP（快速热处理）系列凭借高效温控成为核心技术，整理了一些内容，希望多多交流
二、RTP系列核心工艺：RTA/RTO/RTN各有所长
RTP并非单一工艺，而是涵盖多种快速热处理技术的广义类别，其中RTA、RTO、RTN三大分支最为常用，各自承担着不同的工艺使命：
- RTA（快速热退火）：作为RTP的核心分支，主要用于离子注入后的掺杂剂激活与晶格损伤修复。其升温速率可达100℃/s以上，能在极短时间内完成退火，有效抑制杂质扩散，保持结深均匀与浓度分布陡峭，是7nm及以下先进逻辑节点、EUV光刻集成中源漏扩展区退火的关键工艺。
- RTO（快速热氧化）：在含氧气氛中通过快速升温，在硅片表面生长高质量二氧化硅（SiO₂）薄膜。相较于传统氧化炉，RTO工艺时间大幅缩短，生成的超薄氧化层界面态密度低、均匀性优，专门适配MOS结构中的栅极氧化层及其他介质层制备。
- RTN（快速热氮化）：在氮气或氨气环境下，通过快速热处理使硅表面氮化，形成氮化硅（Si₃N₄）或氮氧化硅（SiON）薄膜。该技术能显著提升介电常数、阻挡杂质扩散、增强材料抗迁移性，常见于替代栅氧层、侧墙隔离及金属栅堆叠中的界面工程。
三、核心部件与供应商
- 红外卤素灯（热源）：Ushio、Osram等供货；
- 准分子激光器（超浅结退火）：Coherent、ASML（Cymer）等主导；
- 红外高温计、高纯石英件等为工艺均匀性保驾护航。#芯片 #半导体设备 #半导体
二、RTP系列核心工艺：RTA/RTO/RTN各有所长
RTP并非单一工艺，而是涵盖多种快速热处理技术的广义类别，其中RTA、RTO、RTN三大分支最为常用，各自承担着不同的工艺使命：
- RTA（快速热退火）：作为RTP的核心分支，主要用于离子注入后的掺杂剂激活与晶格损伤修复。其升温速率可达100℃/s以上，能在极短时间内完成退火，有效抑制杂质扩散，保持结深均匀与浓度分布陡峭，是7nm及以下先进逻辑节点、EUV光刻集成中源漏扩展区退火的关键工艺。
- RTO（快速热氧化）：在含氧气氛中通过快速升温，在硅片表面生长高质量二氧化硅（SiO₂）薄膜。相较于传统氧化炉，RTO工艺时间大幅缩短，生成的超薄氧化层界面态密度低、均匀性优，专门适配MOS结构中的栅极氧化层及其他介质层制备。
- RTN（快速热氮化）：在氮气或氨气环境下，通过快速热处理使硅表面氮化，形成氮化硅（Si₃N₄）或氮氧化硅（SiON）薄膜。该技术能显著提升介电常数、阻挡杂质扩散、增强材料抗迁移性，常见于替代栅氧层、侧墙隔离及金属栅堆叠中的界面工程。
三、核心部件与供应商
- 红外卤素灯（热源）：Ushio、Osram等供货；
- 准分子激光器（超浅结退火）：Coherent、ASML（Cymer）等主导；
- 红外高温计、高纯石英件等为工艺均匀性保驾护航。#芯片 #半导体设备 #半导体
