原子级薄的二维半导体材料如二硫化钼在电子、光学和机械器件领域展现出巨大潜力，并能展示新型物理现象。然而，单层和少层二硫化钼的电子迁移率至今仍远低于理论预测值，这阻碍了对其本征量子输运行为的观测。潜在的无序与散射源包括二硫化钼本身的缺陷（如硫空位）以及外源性因素（如带电杂质和氧化物电介质的远距离光学声子）。为减少外源散射，我们在此开发了一种范德华异质结构器件平台，其中二硫化钼层被完全封装在六方氮化硼中，并通过可调栅极石墨烯电极以多端几何结构实现电接触。磁输运测量显示性能显著提升，包括六层二硫化钼在低温下创纪录的霍尔迁移率高达34,000 cm²V⁻¹s⁻¹，证实先前研究中低温性能受限于外源界面杂质而非二硫化钼的体缺陷。我们还在高迁移率单层和少层二硫化钼中观察到舒布尼科夫-德哈斯振荡。对潜在散射源的建模和量子寿命分析表明，短程与长程界面散射的组合限制了二硫化钼的低温迁移率。
点评：以后光电探测器也三明治夹起来，但是不知道对光吸收影响多大
DOI：10.1038/NNANO.2015.70
点评：以后光电探测器也三明治夹起来，但是不知道对光吸收影响多大
DOI：10.1038/NNANO.2015.70
