本工作发展了一种快速、规模化的石墨烯晶圆转移方法，可在15 min内完整、洁净地转移4英寸石墨烯晶圆。
在本工作中，我们首先实现了铜晶圆生长衬底的均匀氧化，从而在转移介质的辅助下成功实现石墨烯从生长衬底上的无损机械剥离。在之后的石墨烯与目标衬底贴合以及去除转移介质的过程中，采用高分子共混的方法，保证了转移后石墨烯的完整度与洁净度。
经过拉曼光谱分析，相比于传统的基于化学刻蚀法转移的石墨烯，本方法转移的石墨烯具有较低的掺杂水平，转移后石墨烯具有较高的质量。
经过微纳加工制备场效应晶体管器件后，经检测得石墨烯的电子及空穴迁移率分别达到7411和7391 cm²・V⁻¹・S⁻¹，证明转移后石墨烯具有较好的电学性能。
#二维材料 #石墨烯转移 #石墨烯 #光电器件 #晶体管 #传感器 #电子器件 #器件 #钙钛矿 #晶圆
在本工作中，我们首先实现了铜晶圆生长衬底的均匀氧化，从而在转移介质的辅助下成功实现石墨烯从生长衬底上的无损机械剥离。在之后的石墨烯与目标衬底贴合以及去除转移介质的过程中，采用高分子共混的方法，保证了转移后石墨烯的完整度与洁净度。
经过拉曼光谱分析，相比于传统的基于化学刻蚀法转移的石墨烯，本方法转移的石墨烯具有较低的掺杂水平，转移后石墨烯具有较高的质量。
经过微纳加工制备场效应晶体管器件后，经检测得石墨烯的电子及空穴迁移率分别达到7411和7391 cm²・V⁻¹・S⁻¹，证明转移后石墨烯具有较好的电学性能。
#二维材料 #石墨烯转移 #石墨烯 #光电器件 #晶体管 #传感器 #电子器件 #器件 #钙钛矿 #晶圆
