第十四届 CSEAC 半导体设备材料展将于2026年8月31日—9月2日在无锡太湖国际博览中心隆重举办。合肥致真精密设备携全系列半导体PVD薄膜沉积核心装备亮相A1馆A1-72展位，诚挚邀请半导体全产业链上下游同仁莅临观展、深度洽谈，共拓薄膜沉积产业国产化全新发展机遇。
PART.01
展会核心亮点
本届展会聚焦晶圆制造、先进封测、半导体新材料三大核心赛道，同步开设薄膜沉积工艺、新型器件研发、装备国产化等多场专业专项论坛，直击当下行业技术瓶颈与未来产业发展脉络，是业内实现上下游资源对接、关键技术突破、产业资源协同联动的权威专业交流平台。
PART.02
行业发展新趋势
伴随 MRAM、PCRAM、RRAM 等新兴存储、量子器件、高精度 MEMS 等前沿器件加速量产，叠加异构集成技术规模化落地，半导体薄膜沉积行业正式告别标准化量产时代。市场对薄膜沉积设备提出更高标准：极致镀膜均匀精度、强大多工艺兼容能力、灵活快速定制开发能力、高效本地化工艺配套服务，高端半导体设备国产替代迎来黄金窗口期。
PART.03
致真核心适配优势
合肥致真精密设备深耕 2–12 英寸全尺寸半导体 PVD 薄膜沉积装备研发制造，全系产品高度匹配本届展会主题与前沿产业需求，构筑三大核心竞争优势：
✨高精度适配前沿工艺
自主研发模块化沉积设备，膜厚均匀性控制精度≤±2%，支持低温沉积、多靶材同步共镀工艺，全面覆盖芯片前段 FEOL、后段 BEOL、先进封装金属薄膜，以及磁性、压电介质、超导特种薄膜制备，完美适配新型存储、异构封装、量子器件等高端薄膜制备场景。
✨柔性化适配多元需求
模块化拓展、快速迭代的设备架构，既可满足前期研发工艺验证，又可支撑特色工艺产业化量产，解决传统设备通用性差、适配性低的痛点，实现从实验室研发到产业化制造无缝衔接。
12英寸物理气相沉积设备
Trutholar300-S-10
● 多功能模块化设计，可根据需要，配置至多10个PM模块和2个进样模块
● 溅射室支持至多5个靶材的共溅射
● 应用材料
单晶金属薄膜：Al、Ti、Cu、Ta、Ag、Au、Mo、Cr、Ni、W、Co等；
合金薄膜：Ni/V、Ti/Al、Cu/Al、Ni/Co、Ti/Cu、Ti/NiV/Ag、Al/Ti/NiV/Ag、TiW/Cu、Ta/Cu、Al/Si、Ti/Ni/Ag等；
氧化物薄膜：ITO、Al2O3、SiO2、AlOx、TaOx、AZO、NiO、TiO2、TCOs；
氮化物薄膜：TiN、TaN、TiW、GaN、AlN、SiN等；
碳化物薄膜：SiC、WC等；
8英寸物理气相沉积设备
Trutholar200-H-10
● 多功能模块化设计，可根据需要，配置至多10个PM模块和2个进样模块
● 溅射室支持至多4个靶材的共溅射
● 应用材料
单晶金属薄膜：Au、Sn、Fe、Ni、Cr、Ti、Al、Ag、Rh、Mn、Sb、Co、Zn、W、Li、Pt、Mo、Nb等；
合金薄膜：Au/Sn、Fe/Ni、Fe/Ni/Cr、Ti/AlC、Cr/Au、Ti/Au、Ag/SiC、Mn/Sb/Ni、Ni/Cr、Cu/W、WO/Li/ITO、Ti/Al/Cu、Pt/Ti、Mg/Al等；
氧化物薄膜：CrO、TiO2、NiO、ZnO、Al2O3、WO、ITO、MoO2、IGZO、VO2等；
氮化物薄膜：TiN、NbN、TaN、AlN、GaN等；
生产型磁控溅射设备
MSI-100
● 8 inch晶圆向下兼容
● 极限真空优于5×10-8 mbar
● 支持至多4个4 inch靶材的共溅射
● 应用材料
单晶金属薄膜：Ti、Ta、Cu、Al、Pt、Ru、Ir等；
合金薄膜：AlSiCu、CoFeB、NiV、IrMn等；
氮化物薄膜：TiN、TaN、NbN、NbTiN等；
氧化物与介质薄膜：MgO、AlN、AlScN、IGZO、VO2等；
8~12英寸电子束蒸发设备
EBI-200
● 旋转电子束枪可实现多种材料的蒸发
● 可选配考夫曼离子源实现晶圆清洗
● 应用材料
单晶金属薄膜：Ti、Cr、Al、Au、Pt、Ir、Pd、In等；
合金金属薄膜：AuSn、TiAl等；
氧化物薄膜：MgO、SiO2、Al2O3、TiO2、HfO2等；
✨全链路赋能国产化
提供「设备定制+联合工艺开发+全天候本土运维」一站式解决方案，打破进口设备工艺适配难、售后滞后的行业壁垒，助力产业链自主可控。
PART.04
相约展会·共探新机
展会期间，致真资深技术与工艺团队全程驻场，可一对一深度答疑，针对薄膜工艺痛点、设备选型适配、定制化解决方案及国产化落地案例，进行精准技术交流与方案对接。
立足产业趋势，深耕薄膜创新。我们在 A1-72 展位，静候行业同仁莅临洽谈、携手共赢！
⏰ 展会时间：2026年8月31日—9月2日
? 展会地址：无锡太湖国际博览中心
? 展位坐标：A1馆 A1-72
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