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三星电子正计划在其平泽半导体园区建设一条量产级的芯片到晶圆（D2W）混合键合生产线，配备约50台键合机，以支持下一代高带宽存储器（HBM）和先进逻辑芯片，该生产线预计将设在平泽园区的P5工厂。设备安装预计将于今年年底启动。据行业消息人士透露，三星已选定荷兰先进封装设备制造商BE Semiconductor Industries（BESI）作为首选供应商，并已启动约50台D2W混合键合系统的采购流程。
BESI的Datacon 8800 Cameo Ultra Plus AC混合键合系统（来源：BESI）
BESI首席执行官Richard Blickman此前在2026年4月公司第一季度财报电话会议上表示，关于三星采用其混合键合设备的“更明确进展”预计将在今年年中左右出现。当时，BESI的混合键合设备正在接受三星的认证流程。
然而，该订单尚未最终敲定。三星已要求对设备进行设计修改，导致交付时间表的协议延迟。此类修改涉及系统架构、组件或模块的变更，以满足客户的特定要求。
定价问题也增加了谈判的复杂度。行业消息人士估计，BESI的混合键合机单价约为60亿韩元，约是竞品价格的两倍。
“BESI向台积电和美光等公司供应混合键合机，并且不愿意专门为三星重新设计设备，”一位行业消息人士表示。“三星仍认为BESI的技术是最优选择，但随着谈判变得更加复杂，其也在评估能够更快速响应其需求的国内供应商。”
三星的半导体设备子公司Semes也被要求为该生产线提供D2W混合键合机，并希望为平泽园区的两条混合键合生产线供应设备。
“Semes最初在三星优先选择BESI后感受到了很大压力，但近期情绪已有所转变，”另一位行业消息人士称。
Semes于今年早些时候完成了其D2W混合键合机的开发，并向三星交付了评估样机进行性能验证。行业消息人士认为该设备已成功通过内部测试。
三星还在考虑将Hanwha Semitech作为潜在供应商。该公司于2月完成了其第二代D2W混合键合机SHB2 Nano的开发，并于2026年4月向SK海力士交付了评估系统。该评估平台以集成集群形式提供，将Hanwha Semitech的键合机和等离子活化模块与CyMechs的设备前端模块（EFEM）以及Zeus的晶圆清洗模块组合在一起。
三星在平泽投资建设D2W混合键合生产线，与HBM和逻辑半导体的先进封装密切相关。除了其现有的天安先进封装业务外，三星正在平泽为未来的HBM产品开发下一代混合键合能力。
在HBM DRAM芯片之间用铜混合键合（HCB）替代传统的热压（TC）键合，可显著提升性能、降低功耗并减少发热。该技术直接键合铜和介电材料，无需使用微凸点，从而缩短芯片间的互连距离。
该技术预计将在定制HBM（cHBM）中发挥关键作用。三星计划将传统HBM基底芯片替换为包含客户专有计算知识产权（IP）的定制逻辑芯片。该逻辑芯片将补充外部CPU和GPU，同时优化数据传输，HBM DRAM堆叠则垂直集成于其上，形成3D系统级封装（SiP）架构。
2026年6月，三星晶圆代工推出了3D Cube-H，其基于混合键合的下一代3D垂直堆叠解决方案。该异构集成技术面向AI芯片和高性能计算（HPC）系统，在性能、能效和带宽方面相较现有封装技术均有提升。三星晶圆代工正在积极向客户推广该技术。
三星晶圆代工的3D Cube-H先进封装技术（来源：三星电子）
虽然混合键合设备预计今年进厂，但是三星内部将大规模商业化生产的目标时间定在2030年，这反映出该技术相比传统TC键合在制造复杂度上的显著增加。一位行业消息人士表示，混合键合的广泛应用很可能与NVIDIA预计于2029年左右推出的下一代Feynman AI加速器同步到来。
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