会议信息
2026年7月27-29日，第十九届全国MOCVD学术会议将在内蒙古·呼和浩特隆重举行，旨在系统探讨MOCVD领域的关键问题，推动产学研协同发展。会议将聚焦“材料生长、表征与装备”、“功率电子与射频器件”、“光电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”、“封装、应用及AI for MOCVD”等五大核心议题，以期为深化学术研讨、服务产业决策和促进技术交流提供重要支撑。
北京正通远恒科技有限公司邀请您参加本次会议，与广大学术人士、企业人士共聚内蒙古·呼和浩特，面对面交流探讨。我们公司设有展台No.26号，欢迎各位莅临指导。
会议议题
一、材料生长、表征与装备
二、功率电子与射频器件
三、光电子器件与应用
四、超宽禁带半导体与前沿交叉
五、封装、应用及AI for MOCVD
时间地点
主办单位
中国有色金属学会
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
承办单位
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
江苏省第三代半导体研究院
化合积电（呼和浩特）半导体科技有限公司
内蒙古大学
内蒙古工业大学
苏州纳维科技有限公司
协办单位
南昌实验室
西安电子科技大学集成电路学部微电子学院
北京大学宽禁带半导体中心
西交利物浦大学先进半导体研究中心
苏州纳米科技发展有限公司
江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室
北京正通远恒科技有限公司为客户提供最先进的阴极发光CL-SEM系统仪器和工具，帮助客户在材料科学领域获得新见解，并解决半导体行业中棘手的工艺开发难题。我们通过创新的阴极发光（CL） 技术和电子与光谱学的独特结合来实现这一目标。
Allalin是一种纳米分辨率光谱仪器，基于一种被称为定量阴极发光的突破性技术，它将光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）集成到一个系统中。该系统的构建是为了在不牺牲扫描电镜（SEM）性能的前提下获得最佳的阴极发光性能。
Chronos则是一种基于Allalin定量CL体系的变温时间分辨纳米光谱仪器，它配备了一套全面的超快探测器，可覆盖紫外到红外的波长范围，并为用户的应用优化性能。
北京正通远恒科技有限公司长期深耕于薄膜沉积设备领域，作为高端科研仪器设备供应商，始终致力于为客户提供专业技术服务，实现公司和客户在薄膜领域的双赢发展。
原子层沉积（atomic layer deposition, ALD）是通过气相前驱体及反应物脉冲交替的通入反应腔并在基底上发生表面化学反应形成薄膜的一种方法，通过自限制性的前驱体交替饱和反应获得厚度、组分、形貌及结构在纳米尺度上高度可控的薄膜。该方法对基材不设限，尤其适用于具有高深宽比或复杂三维结构的基材。
【END】
电话：010-64415767 | 010-64448295
邮箱：info@honoprof.com
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2026年7月27-29日，第十九届全国MOCVD学术会议将在内蒙古·呼和浩特隆重举行，旨在系统探讨MOCVD领域的关键问题，推动产学研协同发展。会议将聚焦“材料生长、表征与装备”、“功率电子与射频器件”、“光电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”、“封装、应用及AI for MOCVD”等五大核心议题，以期为深化学术研讨、服务产业决策和促进技术交流提供重要支撑。
北京正通远恒科技有限公司邀请您参加本次会议，与广大学术人士、企业人士共聚内蒙古·呼和浩特，面对面交流探讨。我们公司设有展台No.26号，欢迎各位莅临指导。
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一、材料生长、表征与装备
二、功率电子与射频器件
三、光电子器件与应用
四、超宽禁带半导体与前沿交叉
五、封装、应用及AI for MOCVD
时间地点
主办单位
中国有色金属学会
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
承办单位
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
江苏省第三代半导体研究院
化合积电（呼和浩特）半导体科技有限公司
内蒙古大学
内蒙古工业大学
苏州纳维科技有限公司
协办单位
南昌实验室
西安电子科技大学集成电路学部微电子学院
北京大学宽禁带半导体中心
西交利物浦大学先进半导体研究中心
苏州纳米科技发展有限公司
江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室
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Allalin是一种纳米分辨率光谱仪器，基于一种被称为定量阴极发光的突破性技术，它将光学显微镜和扫描电子显微镜（SEM）集成到一个系统中。该系统的构建是为了在不牺牲扫描电镜（SEM）性能的前提下获得最佳的阴极发光性能。
Chronos则是一种基于Allalin定量CL体系的变温时间分辨纳米光谱仪器，它配备了一套全面的超快探测器，可覆盖紫外到红外的波长范围，并为用户的应用优化性能。
北京正通远恒科技有限公司长期深耕于薄膜沉积设备领域，作为高端科研仪器设备供应商，始终致力于为客户提供专业技术服务，实现公司和客户在薄膜领域的双赢发展。
原子层沉积（atomic layer deposition, ALD）是通过气相前驱体及反应物脉冲交替的通入反应腔并在基底上发生表面化学反应形成薄膜的一种方法，通过自限制性的前驱体交替饱和反应获得厚度、组分、形貌及结构在纳米尺度上高度可控的薄膜。该方法对基材不设限，尤其适用于具有高深宽比或复杂三维结构的基材。
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