韩国媒体报道：中国长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条键合DRAM的试点生产线，旨在无需使用EUV光刻技术即可实现高性能DRAM。
键合DRAM是一种技术，其中存储单元阵列和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后键合在一起。这种方法能够仅使用深紫外（DUV）光刻结合多重图案化技术生产超高密度DRAM，从而无需EUV设备。
三星电子正在“B1b”项目下开发自己的键合DRAM，而SK海力士也在追求类似技术。然而，韩国媒体警告称，有评估认为长鑫存储目前在该技术本身以及开发速度上可能领先于其韩国竞争对手。
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