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当地时间6月9日至11日，PCIM Europe 2026在德国纽伦堡展览中心圆满举行。作为全球电力电子、功率半导体及可再生能源领域的重要行业盛会，本届展会汇聚了来自全球27个国家的产业链企业、技术专家与行业伙伴，共同交流功率器件、系统集成、新能源应用及智能电驱等领域的前沿成果。
本次展会，士兰微电子携IGBT、SiC MOSFET及多款士兰PIM功率模块产品赴欧亮相，围绕汽车电驱、新能源发电与储能、工业驱动等关键应用场景，集中展示公司在功率半导体芯片、模块封装与系统级应用方面的技术积累与产品能力。
HEV、PHEV、EV等新能源汽车主驱逆变器
面向HEV、PHEV、EV等新能源汽车主驱逆变器应用，士兰微电子重点展示了多款三相全桥及车规级功率模块方案。SSM2R1PB12EZ1BTFM（ZPAK）采用G4 SiC芯片技术，集成温度传感器，具备低导通电阻、高电流密度和高阻断电压等级等优势。创新ZPAK封装及拓扑结构配合叠层母排设计，可有效降低系统寄生电感，为新能源汽车电驱系统提供高效、可靠的功率支撑。
SGM750PB8EZ1BTFM基于FSⅤ++ IGBT芯片技术，适用于新能源汽车主驱逆变器场景，兼具低饱和压降、低开关损耗和优异热性能。
SSM1R4PB12EZ1PTFM、SSM1R7PB12BB1TFM_TDR4B等SiC MOS模块，则通过低Rdson、低Qg、低Cres、低杂散电感及直接水冷基板等设计，进一步提升电驱系统效率与可靠性。
光伏、风电、储能 PCS、UPS 及大功率逆变
面向AIDC数据中心电源、光伏、风电、储能 PCS、UPS 及大功率逆变等应用，士兰微电子展示了多款半桥、三电平及升压拓扑功率模块产品。其中，SRM600HF17B4TFD、SRM1000HF12B4TFD等基于RC-IGBT技术的半桥拓扑模块，具备高电流密度、低开关损耗、高短路耐受能力和高阻断电压等级等特点，可为逆变器在复杂工况下稳定运行提供可靠保障。
同时，SSM5DCD14D4KTFD飞跨电容升压模块及SSM1R7TA12D4QTFD三电平拓扑模块，采用士兰第四代平面SiC技术，面向光伏升压、光储系统及储能应用，兼具低开关损耗和高可靠性优势，为新能源系统高效率、小型化设计提供有力支撑。
电机驱动、大功率转换器
在电机驱动、大功率转换器等领域，士兰微电子带来了采用A3封装与FS5+ IGBT技术的功率模块产品。SGM1000HF12A3DTLD_2半桥功率模块适用于大功率变频驱动和高功率转换场景，具备低导通电阻、低开关能量损耗和DBC陶瓷基板隔离技术等特点。
工业变频器、伺服及辅助逆变
针对工业变频器、伺服及辅助逆变等应用，SGM25PA12A5TFD_2、SGM50PA12A8TFD_2、SGM100PA12A6ETFD_2等产品集成IGBT、FRD、NTC、整流及制动电路，在紧凑封装中实现高功率密度输出，有助于客户缩短系统设计周期、优化整机成本与可靠性。
SSM08HF12A5DHSD、SSM04HF12A8GHSD等SiC MOSFET半桥模块，面向UPS、DCDC、电动汽车充电、储能及APF等高频开关应用，凭借低导通电阻、低开关损耗及高可靠产品质量，满足高效率功率转换需求。
此外，士兰微电子还展示了MiniPack、SPD封装、PCB嵌入式模块等多种封装形态，覆盖从高功率密度主驱模块到嵌入式功率单元的多元需求，为新能源汽车电驱系统高效化、轻量化和集成化发展提供更多选择。
开展期间，士兰微电子展位吸引了来自新能源、工业控制、汽车电子等领域的客户、合作伙伴和行业专家驻足交流。围绕SiC、IGBT、功率模块封装、热管理、低寄生电感设计及系统可靠性等话题，士兰微电子团队与现场观众进行了深入沟通，展示了士兰在功率半导体关键技术和应用落地方面的持续积累。
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未来，士兰微电子将继续坚持技术创新与产业协同，围绕新能源、工业控制、汽车电子等重点方向，持续完善功率半导体产品矩阵，提升芯片、模块及系统级解决方案能力，与全球客户和合作伙伴共同推动电力电子产业高质量发展。
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文章来源：杭州士兰微电子股份有限公司
