MLCC超级周期降临：2000亿市场缺口贯穿2028
缺货正从AI服务器专用高端料号向全品类扩散。目前最短缺规格为47μF，AI订单挤压日韩厂产能，致手机与PC用量庞大的高容10μF、22μF及X5R均受波及。村田与三星电机为承接高端订单被迫放弃低端产能，后者在日韩厂营收占比仅10%至15%，但数量占比超40%，使中端需求被挤压、高容产品供不应求，缺货正从AI服务器向整个电子产业蔓延。
AI服务器已成MLCC需求增长最快场景。摩根大通测算，2025年至2030年服务器MLCC需求量预计从1480亿颗增长至10770亿颗，其中AI服务器贡献绝大部分增量，到2030年服务器需求占比将从2025年的3.2%大幅提升至15.6%，手机不再担任最大终端市场。英伟达Rubin架构每块电路板使用约12000颗MLCC，较GB200平台约6500颗近乎翻倍；具备L2+自动驾驶的电动汽车需超1万颗，而每部智能手机仅需800至1000颗，需求量级差距显著。村田预计AI服务器MLCC市场空间将以年增30%提升，2030年达2025年的3.3倍。
供给约束同样严峻。全球MLCC交货时间已从通常10周延长至最多24周。汽车和AI服务器使用更大尺寸MLCC，生产同样数量产品需消耗更多设备资源，工厂名义扩产但实际产出颗数反降。AI服务器大量采用1005规格47μF等超高容值产品，组装良率仅为普通MLCC的三分之一至六分之一。高端被动元件设备交期已达1至1.5年，下半年导入设备实为两年前已释出采购订单。华新科今年资本支出较此前提升3倍，电容稼动率维持80%至85%，今年电阻产能扩产10%、电容产能增加15%，明年增幅或进一步超今年，但日本设备商交期仍需半年至一年，台系设备商需3至6个月。村田计划2026财年投资2500亿日元，其中800亿日元用于扩大服务器用MLCC生产，但未来两年产能增幅预计仅略超20%，三星电机则通过菲律宾新建工厂加速先进产能布局。
价格上行趋势全面确立。消费级MLCC现货与分销价格已上涨20%至40%，银、钯、钌、锡、铜等上游金属原材料价格持续攀升，人力与电力成本同步走高。太阳诱电已于4月率先将低容量消费电子及汽车用MLCC价格上调6%至13%。村田暗示若难以承担原材料成本负担，可能进一步提高合同价格。
台湾被动元件厂商营收集体刷新纪录。国巨5月营收150.58亿元新台币，环比增7.3%、同比增47.5%，前5月累计672.63亿元新台币、同比增27.4%。台庆科5月营收7.09亿元新台币，同比增37.77%。天二科技5月营收1.9亿元新台币，同比增58.67%，订单出货比达1.2至1.3。立隆电5月营收12.1亿元新台币，同比增29.96%。立敦5月营收4.73亿元新台币，同比增25.03%。兴勤5月营收8.68亿元新台币，同比增29.74%，订单出货比达1.5，稼动率近乎满载。
华新科将本轮行情与2018年日本厂商退出消费电子转进车用电子相比较，认为当前AI驱动的刚性需求在量级和持续性上均已超越彼时。第一波来自AI基础设施建设，第二波来自AI终端设备普及，AI PC潜在出货量高达2亿台，远超服务器市场数百万台规模，一旦内存供应顺畅、边缘设备放量，缺货效应恐进一步加深。禾伸堂预判明年供需缺口将继续扩大。村田预测AI基础设施投资预计2028年左右达峰值，但根据电力短缺等因素可能延续至2030年，晨星亦预计到2028年AI服务器及相关基础设施投资将持续增长。
企业级SSD单季暴涨80%，五大厂营收破184亿美元
AI Agent服务的快速普及与云端服务商的强劲采购，正将企业级SSD市场推入前所未有的高景气周期。TrendForce最新调查显示，2026年第一季度全球前五大企业级SSD品牌厂合计营收突破184.6亿美元，环比暴涨86.1%，创下近年单季最高涨幅纪录。供需失衡是核心驱动因素，五大头部厂商NAND闪存库存已全部跌至历史低位，而236层与240层高层数NAND工艺良率爬坡缓慢，叠加海外半导体设备交付延期，产出速度远跟不上近乎翻倍的AI服务器订单增长，当季合约价环比狂飙约80%。
三星是本轮行情的最大受益者，单季营收达70.5亿美元，环比增长92.8%，市场份额从33.8%进一步攀升至35.1%。其增长引擎来自236层NAND产能的全面升级与176层QLC产品的大规模放量，精准承接了AI服务器的冷数据存储需求，但即便如此仍无法完全满足CSP客户近乎倍增的采购量。SK海力士集团通过旗下SK海力士与Solidigm的技术互补实现营收46.4亿美元，Solidigm持续扩大QLC产品出货，SK海力士则扩大176层TLC解决方案交付以匹配AI推理需求，目前Solidigm正加速向240层制程过渡，SK海力士研发部门已着手375层TLC产品开发，但由于短期产能释放滞后，集团市场份额从30.2%滑落至23.1%，与三星的差距从3.6个百分点扩大至12个百分点。
美光的策略转型成效在本季度集中兑现。该公司提前一年将原本用于智能手机与渠道市场的NAND产能大幅转向企业级SSD，营收一举冲至近30.9亿美元，市场份额从13%升至15.4%。铠侠受益于218层产品通过北美客户验证并开始放量，以及在服务器品牌商中市占率的提升，季度营收约22.2亿美元，目前正扩大245TB QLC产品的验证工作以提升下半年出货动能。闪迪在高容量存储领域进入收获期，位元出货量增长约20%，营收近14.7亿美元，在全球大容量QLC供不应求的环境下QLC企业级SSD已开始出货，随着客户验证陆续完成，QLC产品将成为未来数个季度营收增长的关键动能。
更深层的架构变革正在为市场提供长期增长动力。TrendForce指出，SSD已从单纯的数据存储仓库转变为承担运算辅助角色的关键组件，从美光的SLC SSD方案到铠侠的XL-Flash技术，供应商正集体探索满足AI Agent存储架构需求的新路径。随着AI代理工作负载持续膨胀，DRAM的容量瓶颈与成本高企正迫使市场接受高性能SSD作为内存层次结构中的替代层，这一技术路径的转变预计将在2026年全年持续支撑企业级SSD市场维持上升走势。
DDR5芯片克价超黄金，DDR4缺货延至2028年
韩国工业技术研究院数据显示，5月份韩国DRAM出口额达186亿美元，同比暴涨369.8%，NAND闪存出口额增长206.8%至17亿美元，推动韩国半导体出口在6月前10天创下286亿美元的同期纪录。价格层面的冲击更为直观，服务器级DDR5 16Gb芯片合约价近期达到42美元，较一年前的6美元上涨七倍，每颗芯片重约0.2克，价值约每克31.5万韩元，已远高于纯金约22万韩元的单价。德国零售市场数据同样印证了这一趋势，6月DDR5内存芯片整体价格同比上涨419%，较5月数据再升5个百分点，其中2x32GB DDR5-6000 CL28套装价格环比上涨近22%，该套装2025年7月售价仅208欧元，如今已重回近1000欧元高位，若当前趋势延续，DDR5价格指数年底有望逼近500%。
供给端的结构性挤压仍在加剧。制造商持续将产能从DDR4等传统产品转向HBM与DDR5等高价值品类，估算2025年、2026年和2027年三大供应商HBM晶圆投入量将分别占DRAM总投入的约18%、22%和30%。Aletheia Capital在最新报告中进一步上调预期，将2026年第三季度DRAM平均售价涨幅从此前预估的10%至15%大幅调升至30%，第四季度再涨10%至15%，并预计HBM平均售价到2027年可能每年翻番。该机构分析指出，内存设备正成为AI硬件系统中最关键的组件，预计到2027年其综合价值占比将超过70%，而2025年约为40%，受SOCAAM价格影响，英伟达Vera CPU机架成本可能高达2600万美元。
DDR4的缺货程度尤为严重，且并未随DDR5普及而退出主流市场。服务器固态硬盘仍需搭配DDR4作为高速缓存，5G基站、工业自动化控制器及低轨卫星地面设备仍大规模采用该规格，政企硬件迭代周期普遍在5至8年，短期无法切换。南亚科完成787亿新台币私募增资后引入铠侠、闪迪、Solidigm与思科四家全球机构合计持股10.19%，私募股东优先锁定大额DDR4产能，叠加全球云服务商与工控厂商同步抢货，现有6万片月产能已接近满载，库存水位跌至近三年最低。南亚科4月营收环比上涨40%，5月再涨8.5%，在产能无法短期扩张的前提下营收增长完全由涨价驱动。价格层面，二季度DDR4 8Gb规格合约价为24至26美元，三季度预计涨至31至32美元，单季涨幅区间达30%至40%，南亚科同规格每Gb报价已达3.3美元，高于三星的2.5至3美元。海外大型云厂商已放弃议价主动支付大额预付款并签署不可取消不可退货的刚性供货协议。南亚科总经理李培瑛公开表态，当前DDR4等传统DRAM毛利率已超越HBM，供需紧张周期将延续至2027年底，2028年仍处紧平衡状态，而泰山新厂2027年下半年量产的新增月产能仅3万片，相较全球百亿级容量缺口杯水车薪。
MCU量价齐升，国际大厂与代工端同步涨价
继存储器、被动元件与功率器件之后，MCU市场正式加入涨价行列，且本轮动作并非个别企业的短期调价，而是全产业链基于供需结构变化形成的集体行为，标志着行业已走出长达两年的库存调整期，进入量价齐升的复苏阶段。
国际半导体巨头已率先吹响号角。意法半导体确定将于6月底落地产品调价方案，英飞凌与德州仪器两大龙头计划在三季度跟进，调价范围覆盖MCU、工控芯片及嵌入式应用等核心产品线，拉开了全球MCU新一轮涨价的序幕。国产厂商的布局更早，中微半导年初便率先官宣上调MCU及NOR Flash产品价格，多款产品调价幅度达双位数以上，此后多家国内企业纷纷跟进。6月15日，辉芒微电子正式发布通知函，宣布即日起对旗下8位MCU产品进行价格调整，涨价幅度为5%，进一步印证了国产阵营集体涨价的趋势。
涨价风潮已快速传导至上游晶圆代工环节。国内多家成熟制程晶圆代工厂已启动报价上调或收紧投片产能，当前行业普遍加价幅度维持在5%至10%，部分紧急订单调价幅度更高。三季度多家代工厂将上调成熟制程报价，8吋及特殊制程晶圆涨幅可达8%至10%，上游代工成本的攀升正持续向下游MCU产品传导。为锁定三、四季度稳定产能，众多终端客户主动加价卡位，晶圆产能抢单现象愈发普遍。
供需双向共振是此轮涨价的核心驱动力。需求端方面，全球AI数据中心建设持续提速，大幅拉动电源管理IC、控制芯片、功率元件及网通芯片等相关MCU产品的刚性需求，成为行业增长的核心动力。与此同时，历经两年库存调整后，工控、车用电子、能源管理、网通设备等传统下游市场库存已回归合理区间，企业开启主动补库周期，新旧需求叠加推动订单量持续攀升。供给端则面临明显制约，近年来全球半导体投资重心持续向AI芯片与先进制程倾斜，6吋与8吋成熟制程新增产能投入严重不足，扩张节奏远滞后于需求复苏速度。其中6吋晶圆广泛应用于MOSFET、IGBT、类比IC及功率管理元件等MCU关联产品，伴随AI服务器、车用电子与储能设备市场扩容，6吋功率半导体产能已率先出现供不应求。
业界判断当前MCU成熟制程供需结构已进入持续改善的上行通道，此轮涨价具备扎实的行业基本面支撑。随着下游AI、汽车电子、工业控制等核心领域需求持续释放，叠加成熟制程产能短期难以扩容，MCU市场涨价态势预计将延续，行业整体盈利水平有望持续修复。
佰维存储年内再签18.6亿美元NAND长单
佰维存储在最新投资者关系活动记录中进一步阐述了当前存储市场的判断。公司引用TrendForce预测指出，2026年第二季度一般型DRAM合约价格仍将增长，NAND Flash市场持续由AI与数据中心需求主导，全产品线连锁涨价效应不减，供需缺口短期内难以缓解，存储市场有望持续景气。一季度公司实现营业收入68.14亿元，同比增长341.53%，归属净利润28.99亿元同比扭亏为盈，毛利率处于较高水平。截至一季度末库存规模达120.69亿元，较2025年底增长53.39%，公司采用移动加权平均法计价，成本变化相对平滑，库存成本相对当前产品售价仍有较大优势。
在企业级与服务器领域，佰维存储已实现涵盖PCIe SSD与SATA SSD等产品的批量供货，并积极深化国产化生态布局与国内企业级客户建立战略合作关系。公司表示将在此领域持续进行战略性投入，希望该业务成为重要的业绩支撑板块。关于后续毛利率走向，公司指出受益于AI应用及Token调用需求爆发，产品价格仍有一定上升空间，原厂已转向2027年及以后的产能锁定，产品价格随行就市且传导路径较为平顺，但也需持续关注价格传导与成本变动。
SK海力士目标2034年产能翻三倍，三星加码封装与HBM
全球存储巨头正以空前力度扩张产能，以应对AI算力对内存芯片的爆发式需求。SK集团董事长崔泰源近日接受《日经亚洲》专访时透露，SK海力士计划在2034年前将晶圆产能扩大至目前的三倍，其中第一阶段目标为五年内实现产能翻倍。目前SK海力士正在韩国龙仁市建设四座晶圆厂，首期工程预计明年初完工，原本规划延续至2045年的建设周期已被压缩提前约十年，崔泰源坦言"目前已经没有办法再更快了"。但他同时指出，即便到2034年产能达到当前的三倍，仍有人认为这不足以满足市场需求。在完成韩国本土布局后，SK海力士将评估海外增设新厂，日本因具备稳定电力、充足水源、成熟工程人才及完整化学材料供应链被视为重要选项，崔泰源强调只有在完整生态系统存在的情况下工厂才能运作。此外，SK集团还计划与英伟达合作，于2028年至2029年间在日本建设一座AI数据中心。
需求侧数据印证了产能扩张的紧迫性。TrendForce最新调查显示，受AI Agent服务普及与云端服务商强劲订单带动，2026年第一季度全球前五大企业级SSD品牌厂营收攀升至184.6亿美元以上，季度增幅约86.1%，当季供需严重失衡、供应商库存降至历史低点、产出赶不上订单，合约价出现约80%的上涨推力。其中SK海力士集团通过旗下SK hynix与子公司Solidigm的技术互补，单季营收达46.4亿美元，Solidigm的QLC产品出货量持续攀升，结合SK hynix的176层TLC产品成功满足AI推理需求，目前Solidigm正加速推进240层制程，SK hynix研发部门则着手开发375层TLC产品。SK海力士近期更成为继台积电与三星电子后第三家市值突破1万亿美元门槛的半导体企业，崔泰源坦言当前市场处于非常不稳定的状态且很可能持续波动。
三星电子同样在加速产能布局。三星正考虑在韩国光州市新建一座先进半导体封装工厂，这将是其35年来首次打造封装基地，也是继平泽园区动工后11年来首次启动重大半导体生产设施，最快可能在6月29日公布投资计划。在技术层面，三星正大力扩充天安基地的HBM后端处理产能，目标在2026年底前将热压键合月产能提升至23.1万颗，混合铜键合月产能提升至1.95万颗，并计划2029年将HBM堆叠工艺从TCB全面切换为HCB。海外方面，三星拟向越南投资约15亿美元建设半导体测试设施，今年4月已动工，预计2027年11月投产。
在扩产推进的同时，供应链价格传导问题也开始浮现。据行业信息显示，SK海力士多家设备一级供应商近期提出涨价要求，供货价格涨幅约在3%至4%，这在以固定成本与研发投入为主的设备采购领域并不常见，分析认为在存储"超级周期"预期下，核心设备供应商的交付能力与响应速度对生产计划影响显著提升，正是大型企业重新考量设备采购价格的重要背景。崔泰源判断，未来投入AI基础设施市场的企业只会越来越多，AI市场将从企业导入阶段进一步扩展至个人用户市场，尤其在代理式AI服务普及之后，但资本市场短期内仍将维持高度波动。
NAND供应紧张延续至2029，企业级SSD份额将超60%
NAND Flash市场正进入长期供应吃紧周期，制造商扩产态度极度克制，新产能预计最早要到2028年才会陆续上线。瑞穗证券与美国银行在最新研报中双双大幅唱多闪迪，推动该公司股价在6月9日美股交易中一度大涨近10%。
需求端的驱动力量清晰而强劲。瑞穗证券分析师Vijay Rakesh团队指出，AI仍是存储市场供需失衡的核心因素，预估2027至2028年需求将进一步增长。企业级SSD已成为驱动NAND Flash需求的关键引擎，团队预估2026至2027年整体NAND Flash需求将分别增长18%和18%，但供给端晶圆投片量预估在2026年萎缩5%，2027年仅年增3%，报告明确判断在2028年或2029年之前市场不会有任何显著的新供应产能上线。Counterpoint Research数据印证了这一趋势的严峻性，2026年第一季度全球NAND Flash制造商合并总营收达创纪录的460亿美元，同比增长近3.5倍，单季营收已超越2023年全年总和，当前企业级SSD占NAND Flash市场40%份额，预计到年底这一比例将突破60%。美国银行分析师Wamsi Mohan预期NAND Flash价格上涨趋势将至少延续至2027年上半年。
基于上述供需格局，两家机构对闪迪给出极为激进的估值。美银将闪迪目标价从1550美元大幅上调至2100美元，维持买入评级，分析师指出闪迪与客户签订的多年期供应合作协议已锁定2027财年超过三分之一的收入，而公司仍有超过60%的NAND Flash供应量可供客户采购，尽管价格已高于一年前，随着更高比例供应纳入新模式，盈利表现将更加稳定。瑞穗证券则将闪迪目标价从1825美元一口气上修至2200美元，同时上调希捷科技目标价至1090美元。
产能向企业级市场倾斜正在消费端产生直接传导效应。制造商优先将产能调配至利润更高的企业级市场，导致消费级存储供应链承受巨大压力，从台式机、笔记本到手机、平板的存储成本全面上升。分析师预计制造商最快也要到2027年或更晚才有可能实质性扩大产能，消费级SSD售价短期内难以回调，若下半年无法有效缓解，PC及相关硬件生态将面临更严峻的供应与价格压力。
安费诺领衔，全球连接器大厂集体涨价
国际头部连接器厂商安费诺大信正式宣布自2026年7月1日起，对MS5015、DLADG、26482-1全系列产品统一上调5%，叠加此前TE Connectivity与莫仕已先后启动的多轮涨价，全球连接器产业链正经历一轮由原材料暴涨驱动的全面成本传导。安费诺在调价通知中披露了详细的成本压力数据：以2025年10月31日原材料成本为定价基准，2025年11月至2026年5月中旬，黄金上涨13.47%、白银暴涨58.01%、铜涨幅24.66%、铝上涨26%、锌合金上涨10.56%，不锈钢、镍、铂金同步大幅走高，迪拜原油涨幅最高达210%。而即便回溯至更早周期，2024年10月至2025年10月黄金、白银、铜、铝、锌合金已实现超两位数涨幅，连续两个周期的原材料成本双重抬升使企业内部降本空间全面触顶，管理层直言已无法通过常规手段抵消原料涨幅。
TE Connectivity作为全球连接器规模龙头，早在2024年末至2025年便多次发布调价函，汽车电动化与AI算力设备需求爆发使产能本就紧张，铜铝等导电金属持续涨价进一步挤压利润，部分车载高压连接器调价幅度超过8%。莫仕紧随其后跟进调价，除金属原材料外还面临塑料粒子与贵金属镀层成本同步上涨的压力，针对服务器高速连接器与新能源储能连接器分阶段涨价。三家头部厂商集体行动的背后，是连接器作为所有电子设备基础元器件的不可替代性，新能源汽车单车连接器价值量较燃油车提升3至5倍，AI服务器与数据中心高速背板连接器及I/O连接器需求随算力扩张持续紧缺，储能与工业自动化领域对贵金属与特种金属用量更大、成本传导敏感度极强，消费电子与轨道交通终端需求稳定，均为厂商提价提供了落地空间。
海外连接器大厂接连涨价短期将压缩下游设备厂商利润，但也在加速国产替代逻辑的兑现，新能源、服务器及储能企业面对持续攀升的进口采购成本，正加速导入国内连接器厂商以分流海外订单。
AMD收购MEXT，DRAM成本降50%、容量扩4倍
AMD于6月15日正式宣布收购AI驱动内存优化技术公司MEXT，瞄准数据中心日益严峻的内存瓶颈。此次交易金额未予披露，但其战略意图十分清晰——随着AI模型、数据分析与高性能计算工作负载持续膨胀，内存已取代算力成为云和企业环境中最关键的制约因素，解决内存可扩展性问题正成为行业刚需。
MEXT创始人兼首席执行官Gary Smerdon此前曾指出，DRAM成本已占服务器总成本的一半，仅在过去两个季度价格便飙升了3.5倍，行业正面临临界点。MEXT的核心产品Predictive Memory正是直击这一痛点，该技术通过将闪存透明引入内存域，在不要求任何硬件改动的前提下使可用内存容量提升2至4倍，同时将基础设施成本降低50%。其运作逻辑是将不活跃使用的冷内存页卸载至成本仅为DRAM五十分之一的闪存，再通过AI引擎在微秒级时间内预测并预取即将被需要的数据页回DRAM，使应用程序几乎感受不到性能损失。整个过程在单个CPU核心上即可完成，无需GPU，五分钟以内可完成安装，且完全兼容现有操作系统与应用程序。
这一技术已在多个行业取得可量化成效。某好莱坞顶级电影工作室通过MEXT将动画与特效渲染所需DRAM占用减半，艺术家得以进行更多迭代且无需额外采购DRAM；一家全球领先芯片制造商正在利用MEXT扩展内存容量以运行更大规模的电子设计自动化仿真，缩短设计周期加速新品上市；一家游戏公司则借助MEXT在不追加DRAM的情况下将计算与内存容量有效翻倍，支撑更丰富的游戏环境同时严格控制基础设施支出。
对AMD而言，此次收购的意义不止于技术本身。MEXT团队在内存系统与AI基础设施领域拥有深厚积累，加入后将进一步强化AMD在差异化全栈计算与AI解决方案上的布局。AMD计划将MEXT的预测内存引擎整合至全线数据中心产品组合，帮助客户从现有基础设施中释放更大价值，以DRAM级性能搭配闪存级经济性创造全新的性价比层级，应对内存芯片供应紧张预计持续至2030年及以后的长期挑战。
