2026年4月23日至25日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在武汉光谷科技会展中心圆满举行。氮矽科技携多款氮化镓新品惊艳亮相，全面展示了在氮化镓领域的最新研发成果。
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DXC150LX070 是一款低压氮化镓驱动集成芯片，采用先进的驱动集成技术，将耐压150V、导通电阻7mΩ（Max）、连续电流60A的增强型GaN HEMT与高性能驱动器集成一体，并提供常规型、双面散热型和薄型露Si型三种FC-LGA 5×6封装选项，引脚兼容、灵活适配不同散热与结构需求。该芯片支持高达10MHz的硬开关频率，具备极低导通损耗与零反向恢复电荷，内置欠压锁定（UVLO）保护，逻辑输入耐受0-18V宽电压，显著简化外围电路设计。倒装芯片结构及双面散热方案有效降低寄生参数、提升热扩散效率，增强系统可靠性与功率密度，广泛应用于同步整流、D类音频、高频DC-DC转换器、通信基站、电机驱动及无线电能传输等领域。
DX1003W，是一款专为驱动增强型GaN HEMT设计的超高速单通道低侧栅极驱动芯片，采用分离式输出架构（OUTH/OUTL），支持通过外部电阻独立调节上升与下降沿，实现对开关速度、效率及EMI的精细化控制。其核心性能包括：高达60MHz工作频率、业界领先的370ps（上升）/350ps（下降）开关速度、2.5ns传输延迟，并提供7A峰值拉电流和5A峰值灌电流驱动能力。芯片内置欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP），采用1.4mm×0.8mm WLCSP超小型封装，显著降低寄生电感和热阻，提升高频稳定性与功率密度。DX1003W广泛应用于激光雷达、飞行时间（ToF）测量、3D面部识别、高频无线充电及GaN基DC/DC转换器等对时序与效率有极致要求的场景。
DXC650S1K2H，是一款高度集成的驱动芯片，内部集成了700V耐压、1.2Ω导通电阻的GaN HEMT及专用驱动、欠压锁定等保护功能，有效解决了分立方案中的驱动匹配与布局复杂问题。该芯片采用低寄生SOP10封装，具备强健的电压耐受能力（瞬态750V、浪涌850V）、优异的热管理（结壳热阻8.9°C/W）、低驱动损耗以及可独立调节的开通关断时间。基于该芯片，氮矽科技已成功实现5MHz/200V高压脉冲电源方案，脉冲边沿小于15ns，温控良好。产品广泛适用于高频高压脉冲电源、快充、PFC、LLC、LED驱动等领域，目前已开放样品申请与批量供应。
作为氮化镓（GaN）领域的领先企业，氮矽科技在此次盛会上全方位呈现了其深厚的技术积累与产品布局。展品覆盖40V至700V电压等级的氮化镓晶体管、专用驱动芯片及集成化功率器件等完整产品体系。同时，公司还集中展示了在快充、电源适配器、超声波美容仪等领域的前沿应用方案，凭借出色的性能表现与创新设计，展台吸引了众多专业观众驻足交流，成为现场关注的热点。
氮矽科技是一家于2019年4月由海归团队牵头，携手数位电子科技大学顶尖教授和业内精英，共同创办的高新技术企业。公司总部位于南京，并与ICiSC平台合作共建国家级集成电路可靠性测试平台，致力于打造全国产氮化镓产品线，为新能源及国家先进基础产业提供高性能、高可靠性的解决方案。自创立以来，公司始终专注于氮化镓产品的研发与销售，以成都和深圳的研发与营销中心为支撑，形成覆盖技术研发、产品测试及市场服务的完整布局，持续推动氮化镓技术的创新与应用。
氮矽科技始终将科研能力作为立身之本，在氮化镓领域打破国际厂商垄断。公司先后推出“E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP®（Power integrated in package）和PWM GaN”四大产品线，广泛应用于消费电子、数据中心、锂电池以及新能源汽车等领域。致力于引领氮化镓的革命性突破, 共创绿色未来。
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