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全球最大规模半导体展会爆火:“第一次遇到限流”,半导体市场今年能破万亿美元?

作者:本站编辑      2026-03-27 10:46:36     0
全球最大规模半导体展会爆火:“第一次遇到限流”,半导体市场今年能破万亿美元?

3月25日,2026 SEMICON China在上海开幕。作为全球规模最大、规格最高的半导体展会,首日便遭遇“限流”。入口处观众排起长队,只能缓慢入场。

“今年人特别多,第一次碰到展会限流。”一位参展观众向时代周报记者感叹。

展会的火热,与行业景气度的变化形成呼应。

世界半导体贸易统计协会(WSTS)数据显示,2025年全球半导体销售额达到7917亿美元,同比增长 25.6%。美国半导体行业协会(SIA)总裁兼首席执行官John Neuffer预计,2026年全球销售额将达到约1万亿美元。

国际半导体产业协会(SEMI)中国总裁冯莉表示,“我们原来预测2030年实现万亿美元的规模,这一目标会提前到来,有机会在2026年就实现。”在她看来,这意味着全球半导体产业正被带入一个全新的增长周期。

与以往由消费电子或库存波动主导的周期不同,半导体产业本轮增长更依赖AI。AI算力需求的快速扩张,以及全球数字经济的持续深化,正在成为主要驱动力。

在这一背景下,SEMICON China不再只是半导体设备展示的平台,更成为观察产业演进路径的窗口:AI如何重塑设计与制造,先进制程如何推动设备升级,都在展会现场得到集中呈现。

AI加速渗透半导体行业

AI对半导体产业的影响,正在同时向设计端与制造端渗透,并改变长期以来依赖制程微缩的演进路径。

在制造端,晶合集成(688249.SH)尝试将AI直接嵌入晶圆厂运行体系。其引入“Agentic AI”(代理型 AI)理念,搭建基于DMCO架构的AI Agent良率管理体系,部署感知、诊断、优化等多种Agent角色,让设备具备“感知-认知-决策-行动”闭环能力。

实际效果已在部分工序中显现,缺陷根因定位时长从38小时压缩至5.4分钟,黄光、刻蚀、CMP三大核心制程的良率平均贡献度提升近50%。

晶合集成联席总经理郑志成表示,“在AI赋能制造这条赛道上,晶合集成走得很早,也想得很远。我们坚信AI不应是离散的单点工具,而必须成为驱动整个晶圆厂迈向自主进化的核心引擎。”

如果说AI在制造端解决的是效率问题,那么在设计端,其作用正转向系统能力的构建。

在传统 EDA(电子设计自动化)体系中,工具链主要服务于单一芯片设计,默认封装、板卡乃至整机环境是稳定的外部条件。但在AI硬件场景下,这一前提被打破。Chiplet、先进封装、异构集成、高带宽存储与超高速互连,使芯片从“独立单元”转变为复杂系统的一部分,电磁、热、应力等多物理场耦合效应显著增强。

芯和半导体董事长凌峰在接受时代周报等媒体采访时表示,传统EDA在系统级设计上存在明显断层,缺乏对整体架构的预判能力。电磁、热、应力等分开仿真,忽略彼此间的强耦合效应和连锁反应,且只服务于芯片设计环节,无法赋能封测、材料、散热等上下游产业等。

为此,芯和提出STCO系统级EDA,在虚拟世界中提前构建数字孪生系统,在AI服务器、AIPC等真实系统架构中进行仿真,确保芯片设计与系统散热、供电、结构协同匹配,从源头降低系统性风险。

与此同时,AI也在反向改造EDA本身。芯和半导体创始人、总裁代文亮表示,芯和半导体正在推进 “AI for EDA” 的技术落地。传统EDA仿真面临设计复杂度高、计算周期长的行业痛点,AI大模型的引入可以实现从结构输入到仿真结果的秒级输出,提升芯片与系统设计效率。

新一代刻蚀设备密集亮相

与设计端、制造端的范式变化相呼应,制造端的设备结构也在同步升级。

东吴证券研报指出,制程迭代推动设备结构升级,刻蚀与薄膜沉积价值量提升。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三,且随制程演进呈提升趋势。多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入,使设备数量与工艺复杂度同步提升。

这一趋势在本次展会上已有具象体现。国内两家头部刻蚀设备厂商北方华创(002371.SZ)与中微公司(688012.SH),均推出面向先进制程的新一代设备。其中,北方华创发布新一代12英寸高端电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备,瞄准先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求。

中微公司则带来新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备和高选择性刻蚀机。前者为5纳米及以下逻辑芯片技术以及同等技术节点难度的先进存储芯片的制造领域,提供了自主可控、技术领先的ICP刻蚀工艺解决方案。而后者则攻克GAA与3D-DRAM的高选择比刻蚀难题,填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

从工艺本身看,在刻蚀过程中,高选择比意味着目标材料被快速去除,而掩膜或非目标材料受影响极小,有助于避免过刻、损伤与尺寸偏差。在逻辑器件栅极刻蚀、存储器高深宽比结构加工等先进工艺中,高选择比刻蚀已成为不可或缺的核心工艺能力。

东吴证券研报认为,国内设备厂商在先进制程存量设备替换及新增产线建设中的需求空间,正持续扩大。

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