本轮融资将主要投向氧化镓衬底研发与产能扩建，包括6英寸氧化镓衬底技术研发与量产、建设2-4英寸氧化镓衬底中试产线、超宽禁带半导体未来产业培育、以及磷化铟多晶产线规模化扩产。
其中，氧化镓突破关键指标6英寸标志着产业迈入规模流片制造阶段，被视为关键进展。行业分析指出，大尺寸衬底是实现规模化流片制造的基础，将有力推动超宽禁带半导体在更高功率场景下的应用落地。铭镓半导体计划新增20台套4-6英寸中试产线设备，预计全面达产后，氧化镓衬底年产能可达3万片。
北京铭镓半导体有限公司作为氧化镓龙头科技企业，是北京市聚焦于超宽禁带半导体的育新平台，该公司搭建概念验证平台，整合材料制备、器件中试、应用验证全环节资源，开放3000㎡实验平台及50余套精密设备，提供样品试制、性能检测、工艺优化服务；其博士后工作站联合北京市高校及科研院所等器件团队组建联合研发小组，致力于加速氧化镓在无人机、人工智能、新能源汽车、智能电网等场景落地应用，推动产业链协同。
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