全球存储市场被三星、海力士、美光等巨头垄断，中国虽是存储芯片消费第一大国，却在供应端严重依赖进口。不过局势正在悄然改变，长江存储、兆易创新、长鑫存储，共同撑起了国产存储芯片的希望。
长江存储切入的是 NAND 闪存这一全球竞争最激烈的赛道，NAND 闪存是智能手机、SSD、U 盘、服务器的核心元件，技术迭代极快，基本上两三年一个台阶。长江存储的核心优势在于其创新的 3D NAND Xtacking 架构，逻辑电路与存储单元分层制造，再通过铜互连结合，可大幅提升存储芯片的 I/O 速度，同时提高良率和扩展性。相当于在全球巨头基本走同一条路的时候，开辟了另一条道路，并且还跑通了。长江存储已量产 232 层 3D NAND，并向 300 层进发，虽与三星已宣布的 300+ 层、美光的最新技术仍有差距，但在主流市场上已可满足国产替代的需求，进入了华为、小米、联想等国内厂商的供应链体系。
兆易创新的起点是 NOR 闪存，这是 MCU、汽车电子、IoT 等领域的必需品，兆易创新目前已是全球前三的玩家，广泛应用于家电、汽车、工业控制等场景，出货量稳定。但兆易创新真正的目标在于 DRAM 和 NAND，DRAM 方面与合肥长鑫合作，逐步切入内存市场；NAND 方面通过投资/合作等方式参与生态建设，提供存储综合服务。
长鑫存储目标直指 DRAM，该赛道技术专利壁垒极高，三星、海力士、美光几乎形成了三足鼎立的格局。长鑫先切入成熟工艺，量产 19nm 的 DDR4 和 LPDDR4X 产品，虽然与国际主流的 DDR5、LPDDR5 仍有代差，但已能满足部分手机、PC 和服务器的应用，代表着中国 DRAM 领域真正实现了从无到有。下一目标直指 HBM 这一高端领域，争取在未来 3-5 年追上国际先进水平的一个梯度，让中国在 DRAM 这个最薄弱的环节至少不再完全依赖进口。
三家企业的布局互补，长江存储主攻 NAND，长鑫存储专注 DRAM，兆易创新覆盖 NOR 并向全品类拓展，让中国在存储领域的拼图第一次接近完整。
#算力 #芯片 #半导体 #中国制造 #要有中国芯 #战略性新兴产业 #行业研究
长江存储切入的是 NAND 闪存这一全球竞争最激烈的赛道，NAND 闪存是智能手机、SSD、U 盘、服务器的核心元件，技术迭代极快，基本上两三年一个台阶。长江存储的核心优势在于其创新的 3D NAND Xtacking 架构，逻辑电路与存储单元分层制造，再通过铜互连结合，可大幅提升存储芯片的 I/O 速度，同时提高良率和扩展性。相当于在全球巨头基本走同一条路的时候，开辟了另一条道路，并且还跑通了。长江存储已量产 232 层 3D NAND，并向 300 层进发，虽与三星已宣布的 300+ 层、美光的最新技术仍有差距，但在主流市场上已可满足国产替代的需求，进入了华为、小米、联想等国内厂商的供应链体系。
兆易创新的起点是 NOR 闪存，这是 MCU、汽车电子、IoT 等领域的必需品，兆易创新目前已是全球前三的玩家，广泛应用于家电、汽车、工业控制等场景，出货量稳定。但兆易创新真正的目标在于 DRAM 和 NAND，DRAM 方面与合肥长鑫合作，逐步切入内存市场；NAND 方面通过投资/合作等方式参与生态建设，提供存储综合服务。
长鑫存储目标直指 DRAM，该赛道技术专利壁垒极高，三星、海力士、美光几乎形成了三足鼎立的格局。长鑫先切入成熟工艺，量产 19nm 的 DDR4 和 LPDDR4X 产品，虽然与国际主流的 DDR5、LPDDR5 仍有代差，但已能满足部分手机、PC 和服务器的应用，代表着中国 DRAM 领域真正实现了从无到有。下一目标直指 HBM 这一高端领域，争取在未来 3-5 年追上国际先进水平的一个梯度，让中国在 DRAM 这个最薄弱的环节至少不再完全依赖进口。
三家企业的布局互补，长江存储主攻 NAND，长鑫存储专注 DRAM，兆易创新覆盖 NOR 并向全品类拓展，让中国在存储领域的拼图第一次接近完整。
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